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雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55
發布時間: 2024-04-28 14:06 更新時間: 2024-11-22 07:00
補償電容概述
該電容器用聚丙烯膜作介質,雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55獲取軌道電路主軌內的感應電壓數,根補償電容的平布特點和補償電容處幅值包絡曲線特征點,確定補償電容位置,再根補償電容位置附近的幅值包絡曲線的形狀和特征量與歷史數對比,從而檢測出發生電容斷線或容值下降的補償電容。并在其介質上真空真鍍一層金屬層為電J制作而成,自愈性能良好,雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55要求高頻腔體的終的工作頻率即設計工作頻率可在調整。在設計時,選取高頻腔體外殼尾部對應高頻腔體加速電極板的位置設置了個補償電容,通過有限積軟件模擬得到帶有調節電容的高頻腔體的工作頻率為,去掉調節電容的高頻腔體頻率為。為節約工期。使用絕緣橡套電纜線軸向引出,其引出端子用塞釘或線鼻子。
補償電容介紹
該電容器主要用于UM71、ZPW-2000A無絕緣軌道電路,起補償作用。雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55結合數在線的凸出部及數在線的凹入部以補償像素電極的兩邊所形成的寄生電容圖是顯示根又一實施例液晶顯示器的像素區域的平面圖以及圖是圖中沿剖面的剖面示意圖。附圖符號說明已知部第圖襯底柵極絕緣層半導體層介電層薄膜晶體管柵極電極源極電極漏極電極數線掃描線補償電容像素電極寄生電容。部第圖數線數線的凸出部重迭區域延伸部凹入部掃描線透明襯底柵極絕緣層半導體層保護層薄膜晶體管柵極電極源極電極漏極電極像素電極接觸孔寄生電容長度寬度。具體實施方式圖是顯示根實施例液晶顯示器的像素區域的平面圖。于像素區域中,一開關組件,例如是薄膜晶體管,連接至像素電有一數線及一掃描線。薄膜晶體管一柵極電極連接掃描線一源極電極連接數線及一漏極電極連接像素電極。又該數線沿像素電極的一邊延伸。
補償電容主要結構
1.環境溫度:-40℃ ~85℃
2.額定電壓:160Va.c.雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55厚度范圍大抵為例如埃。掃描線可與柵極電極同時形成。適合掃描線與柵極電極的材料鉻鋁鉭或上述材料的組合。一柵極絕緣層覆蓋柵極電極。,薄膜晶體管液晶顯示器的結構一陣列襯底一彩色濾光膜陣列襯底及一液晶層夾置于陣列襯底與彩色濾光膜陣列襯底之間。傳統的陣列襯底上具有一薄膜晶體管陣列,各個薄膜晶體管耦接至一像素電極。各個薄膜晶體管的作用為開關組件以施以一電壓于像素電極上。,和為信號源模塊功放模塊接收處理模塊供電系統背板為信號源模塊功放模塊接收處理模塊提供機械連接和電氣連接,用于解決高速檢測列車的機械振動問題系統背板安裝在機箱機殼中,由外部提供電源,供電電源可選用,但本實施例并不以此作為。信號源模塊。
3.標稱電容量:22uF、33uF、40uF、46uF、50uF、55uF、60uF、70uF、80uF、90uF
2.額定電壓:160Va.c.雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55厚度范圍大抵為例如埃。掃描線可與柵極電極同時形成。適合掃描線與柵極電極的材料鉻鋁鉭或上述材料的組合。一柵極絕緣層覆蓋柵極電極。,薄膜晶體管液晶顯示器的結構一陣列襯底一彩色濾光膜陣列襯底及一液晶層夾置于陣列襯底與彩色濾光膜陣列襯底之間。傳統的陣列襯底上具有一薄膜晶體管陣列,各個薄膜晶體管耦接至一像素電極。各個薄膜晶體管的作用為開關組件以施以一電壓于像素電極上。,和為信號源模塊功放模塊接收處理模塊供電系統背板為信號源模塊功放模塊接收處理模塊提供機械連接和電氣連接,用于解決高速檢測列車的機械振動問題系統背板安裝在機箱機殼中,由外部提供電源,供電電源可選用,但本實施例并不以此作為。信號源模塊。
3.標稱電容量:22uF、33uF、40uF、46uF、50uF、55uF、60uF、70uF、80uF、90uF
4.電容量允許偏差:±5%(J);±10%(K)
5.損耗角正切:≤70×10-4(1KHZ)
6.絕緣電阻:≥500MΩ
7.耐電壓: 1.3UR( 10S )雙頭軌道補償電容器 40uF補償電容140*55還設置在高頻腔體外殼內部的尾部位于微調電容兩側的一對補償電容,補償電容用于為高頻腔體提供對工作頻率的調整。進一步,補償電容為實心結構,采用無氧銅制作。,提取經過主軌的感應電壓數。再根補償電容的布特性。,步驟獲取電容補償的預設比例對顯示區中遠離第二顯示區的一行掃描線進行電容補償。
8.額定電壓 160VAC
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